Complementary Metal-Oxide-Semiconductor - Versionsgeschichte

Fmrauch: Hersteller bzw. Anwender des Bauteils

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Hersteller bzw. Anwender des Bauteils

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	[[Image:PMD_Imager.jpg\|thumb\|240x180px\|PhotonICs 41k-S mit 204x204 Pixels, Sensor auf CMOS-Basis]]		[[Image:PMD_Imager.jpg\|thumb\|240x180px\|PhotonICs 41k-S von [[PMDTechnologies]] mit 204x204 Pixels, Sensor auf CMOS-Basis]]
	'''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis\|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur \|Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah \|Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes \|Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers \|Band=Vol. 6 \|Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr. 3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmelde-Datum: 1963-06-18</ref> Im Laufe der Zeit bewährten sich [[Silizium]] und seine Verbindungen als Halbleiter und [[Isolator]], die Firma [[Texas Instruments]] ließ sogar ''LinCMOS'' in den 1980er Jahren als [[Warenzeichen]] eintragen.<ref>Helmut Weidner: ''Aktuelles IC-Datenbuch'', Interest-Verlag, Ausgabe 1996, Teil 4: ''Lineare integrierte Schaltungen'', Kapitel 2.8.: Vierfach Präzisions-Operationsverstärker</ref> Mit Beginn der 2000er Jahre wurden CMOS-Sensoren immer günstiger und konnten den Nachteil gegenüber [[CCD]]-Sensoren immer besser ausgleichen oder sogar überbieten.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Active_Pixel_Sensor#Geschichte</ref> Seit 2008 wird vornehmlich Silizium eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref>		'''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis\|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur \|Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah \|Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes \|Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers \|Band=Vol. 6 \|Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr. 3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmelde-Datum: 1963-06-18</ref> Im Laufe der Zeit bewährten sich [[Silizium]] und seine Verbindungen als Halbleiter und [[Isolator]], die Firma [[Texas Instruments]] ließ sogar ''LinCMOS'' in den 1980er Jahren als [[Warenzeichen]] eintragen.<ref>Helmut Weidner: ''Aktuelles IC-Datenbuch'', Interest-Verlag, Ausgabe 1996, Teil 4: ''Lineare integrierte Schaltungen'', Kapitel 2.8.: Vierfach Präzisions-Operationsverstärker</ref> Mit Beginn der 2000er Jahre wurden CMOS-Sensoren immer günstiger und konnten den Nachteil gegenüber [[CCD]]-Sensoren immer besser ausgleichen oder sogar überbieten.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Active_Pixel_Sensor#Geschichte</ref> Seit 2008 wird vornehmlich Silizium eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref>

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			[[Image:PMD_Imager.jpg\|thumb\|240x180px\|PhotonICs 41k-S mit 204x204 Pixels, Sensor auf CMOS-Basis]]
	'''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis\|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur \|Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah \|Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes \|Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers \|Band=Vol. 6 \|Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr. 3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmelde-Datum: 1963-06-18</ref> Im Laufe der Zeit bewährten sich [[Silizium]] und seine Verbindungen als Halbleiter und [[Isolator]], die Firma [[Texas Instruments]] ließ sogar ''LinCMOS'' in den 1980er Jahren als [[Warenzeichen]] eintragen.<ref>Helmut Weidner: ''Aktuelles IC-Datenbuch'', Interest-Verlag, Ausgabe 1996, Teil 4: ''Lineare integrierte Schaltungen'', Kapitel 2.8.: Vierfach Präzisions-Operationsverstärker</ref> Mit Beginn der 2000er Jahre wurden CMOS-Sensoren immer günstiger und konnten den Nachteil gegenüber [[CCD]]-Sensoren immer besser ausgleichen oder sogar überbieten.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Active_Pixel_Sensor#Geschichte</ref> Seit 2008 wird vornehmlich Silizium eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref>		'''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis\|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur \|Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah \|Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes \|Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers \|Band=Vol. 6 \|Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr. 3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmelde-Datum: 1963-06-18</ref> Im Laufe der Zeit bewährten sich [[Silizium]] und seine Verbindungen als Halbleiter und [[Isolator]], die Firma [[Texas Instruments]] ließ sogar ''LinCMOS'' in den 1980er Jahren als [[Warenzeichen]] eintragen.<ref>Helmut Weidner: ''Aktuelles IC-Datenbuch'', Interest-Verlag, Ausgabe 1996, Teil 4: ''Lineare integrierte Schaltungen'', Kapitel 2.8.: Vierfach Präzisions-Operationsverstärker</ref> Mit Beginn der 2000er Jahre wurden CMOS-Sensoren immer günstiger und konnten den Nachteil gegenüber [[CCD]]-Sensoren immer besser ausgleichen oder sogar überbieten.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Active_Pixel_Sensor#Geschichte</ref> Seit 2008 wird vornehmlich Silizium eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref>

Fmrauch: Bedeutung für die Sensortechnik

2025-08-12T16:27:16Z

Bedeutung für die Sensortechnik

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	'''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis\|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur \|Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah \|Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes \|Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers \|Band=Vol. 6 \|Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr. 3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmelde-Datum: 1963-06-18</ref> Im Laufe der Zeit bewährten sich [[Silizium]] und seine Verbindungen als Halbleiter und [[Isolator]], die Firma [[Texas Instruments]] ließ sogar ''LinCMOS'' in den 1980er Jahren als [[Warenzeichen]] eintragen.<ref>Helmut Weidner: ''Aktuelles IC-Datenbuch'', Interest-Verlag, Ausgabe 1996, Teil 4: ''Lineare integrierte Schaltungen'', Kapitel 2.8.: Vierfach Präzisions-Operationsverstärker</ref> Seit 2008 wird vornehmlich Silizium eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref>		'''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis\|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur \|Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah \|Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes \|Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers \|Band=Vol. 6 \|Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr. 3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmelde-Datum: 1963-06-18</ref> Im Laufe der Zeit bewährten sich [[Silizium]] und seine Verbindungen als Halbleiter und [[Isolator]], die Firma [[Texas Instruments]] ließ sogar ''LinCMOS'' in den 1980er Jahren als [[Warenzeichen]] eintragen.<ref>Helmut Weidner: ''Aktuelles IC-Datenbuch'', Interest-Verlag, Ausgabe 1996, Teil 4: ''Lineare integrierte Schaltungen'', Kapitel 2.8.: Vierfach Präzisions-Operationsverstärker</ref> Mit Beginn der 2000er Jahre wurden CMOS-Sensoren immer günstiger und konnten den Nachteil gegenüber [[CCD]]-Sensoren immer besser ausgleichen oder sogar überbieten.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Active_Pixel_Sensor#Geschichte</ref> Seit 2008 wird vornehmlich Silizium eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref>

	{{PPA-Kupfer\|Link=CMOS}}		{{PPA-Kupfer\|Link=CMOS}}

Fmrauch am 12. August 2025 um 14:56 Uhr

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	'''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis\|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur \|Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah \|Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes \|Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers \|Band=Vol. 6 \|Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr. 3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmelde-Datum: 1963-06-18</ref> Im Laufe der Zeit bewährten sich [[Silizium]] und seine Verbindungen als Halbleiter und [[Isolator]], die Firma [[Texas Instruments]] ließ sogar ''LinCMOS'' in den 1980er Jahren als [[Warenzeichen]] eintragen.<ref>Helmut Weidner: ''Aktuelles IC-Datenbuch'', Interest-Verlag, Ausgabe 1996, Teil 4: ''Lineare integrierte Schaltungen'', Kapitel 2.8.: Vierfach Präzisions-Operationsverstärker</ref> Seit 2008 wird vornehmlich [[Silizium]] eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref>		'''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis\|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur \|Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah \|Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes \|Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers \|Band=Vol. 6 \|Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr. 3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmelde-Datum: 1963-06-18</ref> Im Laufe der Zeit bewährten sich [[Silizium]] und seine Verbindungen als Halbleiter und [[Isolator]], die Firma [[Texas Instruments]] ließ sogar ''LinCMOS'' in den 1980er Jahren als [[Warenzeichen]] eintragen.<ref>Helmut Weidner: ''Aktuelles IC-Datenbuch'', Interest-Verlag, Ausgabe 1996, Teil 4: ''Lineare integrierte Schaltungen'', Kapitel 2.8.: Vierfach Präzisions-Operationsverstärker</ref> Seit 2008 wird vornehmlich Silizium eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref>

	{{PPA-Kupfer\|Link=CMOS}}		{{PPA-Kupfer\|Link=CMOS}}

Fmrauch am 12. August 2025 um 14:55 Uhr

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	'''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis\|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur \|Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah \|Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes \|Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers \|Band=Vol. 6 \|Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr. 3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmelde-Datum: 1963-06-18}}</ref> Im Laufe der Zeit bewährten sich [[Silizium]] und seine Verbindungen als Halbleiter und [[Isolator]], die Firma [[Texas Instruments]] ließ sogar ''LinCMOS'' in den 1980er Jahren als [[Warenzeichen]] eintragen.<ref>Helmut Weidner: ''Aktuelles IC-Datenbuch'', Ausgabe 1996, Teil 4: ''Lineare integrierte Schaltungen'', Kapitel 2.8.: Vierfach Präzisions-Operationsverstärker</ref> Seit 2008 wird vornehmlich [[Silizium]] eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref>		'''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis\|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur \|Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah \|Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes \|Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers \|Band=Vol. 6 \|Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr. 3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmelde-Datum: 1963-06-18</ref> Im Laufe der Zeit bewährten sich [[Silizium]] und seine Verbindungen als Halbleiter und [[Isolator]], die Firma [[Texas Instruments]] ließ sogar ''LinCMOS'' in den 1980er Jahren als [[Warenzeichen]] eintragen.<ref>Helmut Weidner: ''Aktuelles IC-Datenbuch'', Interest-Verlag, Ausgabe 1996, Teil 4: ''Lineare integrierte Schaltungen'', Kapitel 2.8.: Vierfach Präzisions-Operationsverstärker</ref> Seit 2008 wird vornehmlich [[Silizium]] eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref>

	{{PPA-Kupfer\|Link=CMOS}}		{{PPA-Kupfer\|Link=CMOS}}

Fmrauch am 12. August 2025 um 14:54 Uhr

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	{{PPA-Kupfer\|Link=CMOS}}		{{PPA-Kupfer\|Link=CMOS}}

			== Einzelnachweise ==
			<references />

	[[Kategorie:Mikroelektronik]]		[[Kategorie:Mikroelektronik]]
	[[Kategorie:Digitale Schaltungstechnik]]		[[Kategorie:Digitale Schaltungstechnik]]

Fmrauch: weiteres zur Entwicklung

2025-08-12T14:53:20Z

weiteres zur Entwicklung

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	'''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis\|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur \|Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah \|Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes \|Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers \|Band=Vol. 6 \|Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr. 3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmelde-Datum: 1963-06-18}}</ref> Seit 2008 wird vornehmlich [[Silizium]] eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref>		'''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis\|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur \|Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah \|Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes \|Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers \|Band=Vol. 6 \|Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr. 3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmelde-Datum: 1963-06-18}}</ref> Im Laufe der Zeit bewährten sich [[Silizium]] und seine Verbindungen als Halbleiter und [[Isolator]], die Firma [[Texas Instruments]] ließ sogar ''LinCMOS'' in den 1980er Jahren als [[Warenzeichen]] eintragen.<ref>Helmut Weidner: ''Aktuelles IC-Datenbuch'', Ausgabe 1996, Teil 4: ''Lineare integrierte Schaltungen'', Kapitel 2.8.: Vierfach Präzisions-Operationsverstärker</ref> Seit 2008 wird vornehmlich [[Silizium]] eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref>

	{{PPA-Kupfer\|Link=CMOS}}		{{PPA-Kupfer\|Link=CMOS}}
	[[Kategorie:Mikroelektronik]]		[[Kategorie:Mikroelektronik]]
	[[Kategorie:Digitale Schaltungstechnik]]		[[Kategorie:Digitale Schaltungstechnik]]

Fmrauch: chronologisch

2025-08-12T14:41:35Z

chronologisch

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	'''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis\|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Seit 2008 wird vornehmlich [[Silizium]] eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref> Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur \|Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah \|Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes \|Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers \|Band=Vol. 6 \|Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr. 3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmelde-Datum: 1963-06-18}}</ref>		'''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis\|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur \|Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah \|Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes \|Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers \|Band=Vol. 6 \|Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr. 3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmelde-Datum: 1963-06-18}}</ref> Seit 2008 wird vornehmlich [[Silizium]] eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref>

	{{PPA-Kupfer\|Link=CMOS}}		{{PPA-Kupfer\|Link=CMOS}}
	[[Kategorie:Mikroelektronik]]		[[Kategorie:Mikroelektronik]]
	[[Kategorie:Digitale Schaltungstechnik]]		[[Kategorie:Digitale Schaltungstechnik]]

Fmrauch am 12. August 2025 um 13:43 Uhr

2025-08-12T13:43:34Z

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	'''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis\|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Seit 2008 wird vornehmlich [[Silizium]] eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref> Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur \|Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah \|Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes \|Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers \|Band=Vol. 6 \|Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr=3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, ~~Anmeldet~~ Datum: 1963-06-18}}</ref>		'''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis\|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Seit 2008 wird vornehmlich [[Silizium]] eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref> Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur \|Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah \|Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes \|Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers \|Band=Vol. 6 \|Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr. 3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmelde-Datum: 1963-06-18}}</ref>

	{{PPA-Kupfer\|Link=CMOS}}		{{PPA-Kupfer\|Link=CMOS}}
	[[Kategorie:Mikroelektronik]]		[[Kategorie:Mikroelektronik]]
	[[Kategorie:Digitale Schaltungstechnik]]		[[Kategorie:Digitale Schaltungstechnik]]

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	'''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis\|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Seit 2008 wird vornehmlich [[Silizium]] eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref> Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur \|Autor=[[Frank Wanlass]], [[Chih-Tang Sah]] \|Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes \|Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers \|Band=Vol. 6 \|Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr=3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmeldet Datum: 1963-06-18}}</ref>		'''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor''', kurz '''CMOS''', ist die Bezeichnung für ein [[elektrisches Bauelement]] aus [[Halbleiter]]n, bei dem sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt[[transistor]]en, kurz [[MOSFET]]s, gemeinsam verwendet werden. Im Vergleich zur [[NMOS]]-Technik muss zwar immer die doppelte Anzahl von Transistoren auf einen [[Chip]] aufgebracht werden, da der Arbeitswiderstand in CMOS durch einen [[PMOS]]-Transistor ersetzt wird. Der PMOS-Transistor lässt sich aber leichter in [[integrierter Schaltkreis\|IC]]s integrieren als ein [[elektrischer Widerstand]]. Seit 2008 wird vornehmlich [[Silizium]] eingesetzt, womit die Bezeichnung Metall-Oxid bzw. MOS nicht mehr ganz korrekt ist.<ref>https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor#Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor</ref> Die Technik wurde 1963 von [[Frank Wanlass]] beim Halbleiterhersteller [[Fairchild Semiconductor]] entwickelt und auch [[patent]]iert.<ref>{{Literatur \|Autor=Frank Wanlass, Chih-Tang Sah \|Titel=Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes \|Sammelwerk=1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference (February 20, 1963). Digest of Technical Papers \|Band=Vol. 6 \|Datum=1963}}</ref><ref>Patent V-Nr=3356858: ''Low stand-by power complementary field effect circuitry'', Erfinder: Frank M. Wanlass, Anmeldet Datum: 1963-06-18}}</ref>

	{{PPA-Kupfer\|Link=CMOS}}		{{PPA-Kupfer\|Link=CMOS}}
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