Dotierung - Versionsgeschichte

Fmrauch am 1. November 2025 um 16:43 Uhr

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	Eine '''Dotierung''' oder das ''Dotieren'' (von {{laS\|dotare}} ‚ausstatten‘) bezeichnet bei der Herstellung von [[Halbleiter]]n das Einbringen von fremden [[Atom]] in eine Schicht oder in das Grundmaterial - meist [[Silizium]] - eines [[Transistor]]s oder [[Integrierter Schaltkreis\|integrierten Schaltkreises]]. Dabei wird zwischen p- und n-Dotierung unterschieden: für die p-Dotierung kommen Elemente aus der dritten Hauptgruppe wie beispielsweise [[Bor]], [[Indium]], [[Aluminium]] oder [[Gallium]] und für n-Dotierung die Elemente aus der fünften Hauptgruppe wie beispielsweise [[Phosphor]], [[Arsen]] oder [[Antimon]] zum Einsatz. Die ''p-Dotierung'' verwendet Atome, die als [[Elektron]]en-Empfänger dienen und damit im Prinzip eine [[Anode]] bilden, während die ''n-Dotierung'' Elektronen-Geber nach dem Prinzip einer [[Kathode]] implantiert. Der Begriff p-Dotierung steht für die sogenannte freibewegliche ''positive Lücke'', kurz ''p'' auch Loch oder Defektelektron genannt, während ''n-Dotierung'' für negativ, kurz ''n'', also die ~~elekktrisch~~ negativen Elektronen steht.		Eine '''Dotierung''' oder das ''Dotieren'' (von {{laS\|dotare}} ‚ausstatten‘) bezeichnet bei der Herstellung von [[Halbleiter]]n das Einbringen von fremden [[Atom]] in eine Schicht oder in das Grundmaterial - meist [[Silizium]] - eines [[Transistor]]s oder [[Integrierter Schaltkreis\|integrierten Schaltkreises]]. Dabei wird zwischen p- und n-Dotierung unterschieden: für die p-Dotierung kommen Elemente aus der dritten Hauptgruppe wie beispielsweise [[Bor]], [[Indium]], [[Aluminium]] oder [[Gallium]] und für n-Dotierung die Elemente aus der fünften Hauptgruppe wie beispielsweise [[Phosphor]], [[Arsen]] oder [[Antimon]] zum Einsatz. Die ''p-Dotierung'' verwendet Atome, die als [[Elektron]]en-Empfänger dienen und damit im Prinzip eine [[Anode]] bilden, während die ''n-Dotierung'' Elektronen-Geber nach dem Prinzip einer [[Kathode]] implantiert. Der Begriff p-Dotierung steht für die sogenannte freibewegliche ''positive Lücke'', kurz ''p'' auch Loch oder Defektelektron genannt, während ''n-Dotierung'' für negativ, kurz ''n'', also die elektrisch negativen Elektronen steht.

	{{PPA-Kupfer}}		{{PPA-Kupfer}}

	[[Kategorie:Festkörperphysik]]		[[Kategorie:Festkörperphysik]]

Fmrauch am 1. November 2025 um 16:37 Uhr

2025-11-01T16:37:54Z

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	Eine '''Dotierung''' oder das ''Dotieren'' (von {{laS\|dotare}} ‚ausstatten‘) bezeichnet bei der Herstellung von [[Halbleiter]]n das Einbringen von fremden [[Atom]] in eine Schicht oder in das Grundmaterial - meist [[Silizium]] - eines [[Transistor]]s oder [[Integrierter Schaltkreis\|integrierten Schaltkreises]]. Dabei wird zwischen p- und n-Dotierung unterschieden: für die p-Dotierung kommen Elemente aus der dritten Hauptgruppe wie beispielsweise [[Bor]], [[Indium]], [[Aluminium]] oder [[Gallium]] und für n-Dotierung die Elemente aus der fünften Hauptgruppe wie beispielsweise [[Phosphor]], [[Arsen]] oder [[Antimon]] zum Einsatz. Die ''p-Dotierung'' verwendet Atome, die als [[Elektron]]en-Empfänger dienen und damit im Prinzip eine [[Anode]] bilden, während die ''n-Dotierung'' Elektronen-Geber nach dem Prinzip einer [[Kathode]] implantiert.		Eine '''Dotierung''' oder das ''Dotieren'' (von {{laS\|dotare}} ‚ausstatten‘) bezeichnet bei der Herstellung von [[Halbleiter]]n das Einbringen von fremden [[Atom]] in eine Schicht oder in das Grundmaterial - meist [[Silizium]] - eines [[Transistor]]s oder [[Integrierter Schaltkreis\|integrierten Schaltkreises]]. Dabei wird zwischen p- und n-Dotierung unterschieden: für die p-Dotierung kommen Elemente aus der dritten Hauptgruppe wie beispielsweise [[Bor]], [[Indium]], [[Aluminium]] oder [[Gallium]] und für n-Dotierung die Elemente aus der fünften Hauptgruppe wie beispielsweise [[Phosphor]], [[Arsen]] oder [[Antimon]] zum Einsatz. Die ''p-Dotierung'' verwendet Atome, die als [[Elektron]]en-Empfänger dienen und damit im Prinzip eine [[Anode]] bilden, während die ''n-Dotierung'' Elektronen-Geber nach dem Prinzip einer [[Kathode]] implantiert. Der Begriff p-Dotierung steht für die sogenannte freibewegliche ''positive Lücke'', kurz ''p'' auch Loch oder Defektelektron genannt, während ''n-Dotierung'' für negativ, kurz ''n'', also die elekktrisch negativen Elektronen steht.

	{{PPA-Kupfer}}		{{PPA-Kupfer}}

	[[Kategorie:Festkörperphysik]]		[[Kategorie:Festkörperphysik]]

Fmrauch am 1. November 2025 um 16:31 Uhr

2025-11-01T16:31:03Z

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	Eine '''Dotierung''' oder das ''Dotieren'' (von {{laS\|dotare}} ‚ausstatten‘) bezeichnet bei der Herstellung von [[Halbleiter]]n das Einbringen von fremden [[Atom]] in eine Schicht oder in das Grundmaterial - meist [[Silizium]] - eines [[Transistor]]s oder [[Integrierter Schaltkreis\|integrierten Schaltkreises]]. Dabei wird zwischen p- und n-Dotierung unterschieden: für die p-Dotierung kommen Elemente aus der dritten Hauptgruppe wie beispielsweise [[Bor]], [[Indium]], [[Aluminium]] oder [[Gallium]] und für n-Dotierung die Elemente aus der fünften Hauptgruppe wie beispielsweise [[Phosphor]], [[Arsen]] oder [[Antimon]] zum Einsatz.		Eine '''Dotierung''' oder das ''Dotieren'' (von {{laS\|dotare}} ‚ausstatten‘) bezeichnet bei der Herstellung von [[Halbleiter]]n das Einbringen von fremden [[Atom]] in eine Schicht oder in das Grundmaterial - meist [[Silizium]] - eines [[Transistor]]s oder [[Integrierter Schaltkreis\|integrierten Schaltkreises]]. Dabei wird zwischen p- und n-Dotierung unterschieden: für die p-Dotierung kommen Elemente aus der dritten Hauptgruppe wie beispielsweise [[Bor]], [[Indium]], [[Aluminium]] oder [[Gallium]] und für n-Dotierung die Elemente aus der fünften Hauptgruppe wie beispielsweise [[Phosphor]], [[Arsen]] oder [[Antimon]] zum Einsatz. Die ''p-Dotierung'' verwendet Atome, die als [[Elektron]]en-Empfänger dienen und damit im Prinzip eine [[Anode]] bilden, während die ''n-Dotierung'' Elektronen-Geber nach dem Prinzip einer [[Kathode]] implantiert.

	{{PPA-Kupfer}}		{{PPA-Kupfer}}

	[[Kategorie:Festkörperphysik]]		[[Kategorie:Festkörperphysik]]

Fmrauch: P/N kann hier schon mal erklärt werden

2025-11-01T16:25:40Z

P/N kann hier schon mal erklärt werden

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	Eine '''Dotierung''' oder das ''Dotieren'' (von {{laS\|dotare}} ‚ausstatten‘) bezeichnet bei der Herstellung von [[Halbleiter]]n das Einbringen von fremden [[Atom]] in eine Schicht oder in das Grundmaterial - meist [[Silizium]] - eines [[Transistor]]s oder [[Integrierter Schaltkreis\|integrierten Schaltkreises]].		Eine '''Dotierung''' oder das ''Dotieren'' (von {{laS\|dotare}} ‚ausstatten‘) bezeichnet bei der Herstellung von [[Halbleiter]]n das Einbringen von fremden [[Atom]] in eine Schicht oder in das Grundmaterial - meist [[Silizium]] - eines [[Transistor]]s oder [[Integrierter Schaltkreis\|integrierten Schaltkreises]]. Dabei wird zwischen p- und n-Dotierung unterschieden: für die p-Dotierung kommen Elemente aus der dritten Hauptgruppe wie beispielsweise [[Bor]], [[Indium]], [[Aluminium]] oder [[Gallium]] und für n-Dotierung die Elemente aus der fünften Hauptgruppe wie beispielsweise [[Phosphor]], [[Arsen]] oder [[Antimon]] zum Einsatz.

	{{PPA-Kupfer}}		{{PPA-Kupfer}}

	[[Kategorie:Festkörperphysik]]		[[Kategorie:Festkörperphysik]]

Fmrauch: Transistor fehlt hier

2025-11-01T16:22:12Z

Transistor fehlt hier

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	Eine '''Dotierung''' oder das ''Dotieren'' (von {{laS\|dotare}} ‚ausstatten‘) bezeichnet bei der Herstellung von [[Halbleiter]]n das Einbringen von fremden [[Atom]] in eine Schicht oder in das Grundmaterial - meist [[Silizium]] - eines [[Integrierter Schaltkreis\|integrierten Schaltkreises]].		Eine '''Dotierung''' oder das ''Dotieren'' (von {{laS\|dotare}} ‚ausstatten‘) bezeichnet bei der Herstellung von [[Halbleiter]]n das Einbringen von fremden [[Atom]] in eine Schicht oder in das Grundmaterial - meist [[Silizium]] - eines [[Transistor]]s oder [[Integrierter Schaltkreis\|integrierten Schaltkreises]].

	{{PPA-Kupfer}}		{{PPA-Kupfer}}

	[[Kategorie:Festkörperphysik]]		[[Kategorie:Festkörperphysik]]

Fmrauch: leere Kat.

2025-11-01T14:32:45Z

leere Kat.

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	[[Kategorie:Festkörperphysik]]		[[Kategorie:Festkörperphysik]]
	~~[[Kategorie:Halbleitertechnik]]~~

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Eine '''Dotierung''' oder das ''Dotieren'' (von {{laS|dotare}} ‚ausstatten‘) bezeichnet bei der Herstellung von [[Halbleiter]]n das Einbringen von fremden [[Atom]] in eine Schicht oder in das Grundmaterial - meist [[Silizium]] - eines [[Integrierter Schaltkreis|integrierten Schaltkreises]].

{{PPA-Kupfer}}

[[Kategorie:Festkörperphysik]]
[[Kategorie:Halbleitertechnik]]